Chip bán dẫn của Samsung. Ảnh: Samsung

Năng lực sản xuất ngày càng được xem là yếu tố quyết định quan trọng đến khả năng cạnh tranh, với nhu cầu liên quan đến trí tuệ nhân tạo (AI) dự kiến sẽ tiếp tục tăng mạnh trong những năm tới.

Phóng viên TTXVN tại Seoul dẫn thông tin từ Samsung Electronics và SK hynix hôm 21/12 cho biết Samsung Electronics đã tăng tỷ lệ sử dụng công suất tại các dây chuyền sản xuất bộ nhớ DRAM và bộ nhớ flash NAND tại Hàn Quốc, đồng thời mở rộng sản lượng các sản phẩm cao cấp, chẳng hạn như bộ nhớ băng thông cao (HBM).

Tháng 11 vừa qua, “gã khổng lồ” công nghệ Hàn Quốc đã quyết định tiếp tục xây dựng khung sườn cho nhà máy sản xuất chip Line 5 tại khu phức hợp Pyeongtaek thuộc tỉnh Gyeonggi - trung tâm sản xuất chất bán dẫn chính của công ty, nằm cách thủ đô Seoul khoảng 60 km về phía nam. Nhà máy Line 5 dự kiến sẽ bắt đầu hoạt động thương mại vào năm 2028, tăng cường khả năng đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng đối với các chip nhớ tiên tiến của Samsung.

Trong khi đó, SK hynix cũng đang chuẩn bị đi vào hoạt động tại nhà máy sản xuất M15X mới ở thành phố Cheongju thuộc tỉnh Chungcheong Bắc, cách thủ đô Seoul khoảng 110 km về phía nam. Cơ sở này sẽ tập trung vào sản xuất DRAM và những sản phẩm bộ nhớ khác hướng đến AI.

Công ty đang nỗ lực hoàn thành việc xây dựng nhà máy sản xuất đầu tiên tại cụm công nghiệp bán dẫn Yongin thuộc tỉnh Gyeonggi, trước thời hạn dự kiến ban đầu là năm 2027, một cơ sở có quy mô tương đương với sáu nhà máy M15Xh.

Theo Omdia - công ty nghiên cứu và tư vấn công nghệ hàng đầu thế giới, thị trường DRAM toàn cầu dự kiến sẽ đạt 170 tỷ USD vào năm 2026, tăng từ 100 tỷ USD vào năm 2024.