Một mẫu chip của Samsung Electronics. Ảnh: samsungnews

Tại Diễn đàn Samsung Foundry 2021 được tổ chức trực tuyến, nhà sản xuất chip lớn thứ hai thế giới này đã công bố kế hoạch về quy trình sản xuất các công nghệ tương lai cùng các hoạt động và dịch vụ đi kèm trong tương lai.

Theo đó, Samsung có kế hoạch triển khai công nghệ bóng bán dẫn có cực cổng dạng vòm (GAA) với tiến trình 3 nanomet (nm) vào nửa đầu năm 2022, sau đó đặt mục tiêu ra mắt chip 3nm thế hệ thứ hai vào năm 2023 và 2nm vào năm 2025 để sản xuất đại trà các dòng chip.

Samsung cho biết tiến trình 3nm được áp dụng với kiến trúc FET kênh đa cầu (MBCFET), phiên bản công nghệ GAA mà Samsung đăng ký bản quyền, sẽ có thể giảm tới 35% diện tích chip với mức tiêu thụ điện năng thấp hơn 50% và nâng 30% hiệu suất so với quy trình 5nm trong cấu trúc FinFET (bóng bán dẫn 3D).

Tại diễn đàn, "gã khổng lồ" công nghệ Hàn Quốc cũng giới thiệu quy trình 17nm dựa trên FinFET được nâng cấp nhằm mục đích cung cấp các sản phẩm ứng dụng, tiết kiệm chi phí hơn. 

Samsung cho biết quy trình 17nm sẽ giúp giảm 43% diện tích chip, cải thiện 49% hiệu suất năng lượng và tăng hiệu suất lên 39% so với tiến trình 28nm.

Tiến trình 17nm nâng cấp có thể được áp dụng cho các sản phẩm như cảm biến hình ảnh và mạch tích hợp màn hình di động chủ yếu sử dụng tiến trình trình 28nm.

Về công nghệ tần số vô tuyến dựa trên tiến trình 8nm, công ty cho biết họ đặt mục tiêu đảm bảo vị trí dẫn đầu trên thị trường chip truyền thông 5G, đặc biệt là đối với các sản phẩm hỗ trợ phổ tần sóng dưới 6 GHz và mmW.

Trong khi đó, Samsung, cũng là nhà cung cấp chip nhớ lớn nhất thế giới, cho biết sẽ tổ chức diễn đàn Hệ sinh thái đúc tiên tiến của Samsung (SAFE) vào tháng 11 tới để tăng cường quan hệ với các đối tác và khách hàng./.