Intel hướng đến hiệu suất vượt trội, trong khi TSMC tối ưu mật độ bóng bán dẫn. Theo trang web thông tin về ngành bán dẫn TechInsights, tiến trình sản xuất chip bán dẫn TSMC N2 đã đạt mật độ bóng bán dẫn 313 triệu trên mỗi milimét vuông, cao hơn Intel 18A (238 triệu) và Samsung SF3 (231 triệu).

Nhưng mật độ không phải yếu tố duy nhất quyết định hiệu quả của một tiến trình vì thiết kế chip còn phụ thuộc vào cách kết hợp các loại tế bào bóng bán dẫn khác nhau.

Xét về hiệu suất, Intel 18A có thể mang lại mức cải thiện đáng kể so với những thế hệ trước song các đánh giá hiện nay vẫn dựa trên ước tính thay vì dữ liệu thực tế. Điểm khác biệt quan trọng của Intel 18A là công nghệ PowerVia, hệ thống cấp nguồn từ mặt sau giúp tăng tốc độ và hiệu suất năng lượng.

Về phần mình, TSMC dự định triển khai công nghệ tương tự trong thời gian tới song N2 phiên bản đầu tiên chưa được tích hợp tính năng này. Tuy nhiên, không phải tất cả chip Intel 18A đều sử dụng PowerVia, tùy thuộc vào yêu cầu thiết kế của từng sản phẩm.

Còn về tiêu thụ điện năng, các chuyên gia công nghệ dự kiến TSMC N2 sẽ hoạt động hiệu quả hơn so với Intel 18A và Samsung SF3. TSMC vốn duy trì lợi thế về hiệu suất năng lượng qua nhiều thế hệ tiến trình và điều này có thể tiếp tục với N2.

Sự khác nhau về thời điểm trình làng cũng là một vấn đề đáng chú ý. Intel lên kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt 18A vào giữa năm 2025 để phục vụ thế hệ vi xử lý Core Ultra tiếp theo, với các sản phẩm thương mại có thể xuất hiện vào cuối năm. Còn tiến trình N2 của TSMC sẽ bước vào giai đoạn sản xuất quy mô lớn vào cuối năm 2025, đồng nghĩa với việc những sản phẩm sử dụng N2 có thể đến giữa năm 2026 mới xuất hiện trên thị trường.

TSMC N2 có điểm cộng về mật độ bóng bán dẫn còn Intel 18A có thể khá hơn về hiệu suất nhờ công nghệ PowerVia. Ngoài ra, Intel có lợi thế về thời gian trình làng cho phép công ty này sớm đưa sản phẩm thương mại đến tay người dùng hơn so với TSMC.